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SK海力士20日举行股东会，社长朴星昱宣誓，20纳米级DRAM最快可能在今年7月迈入量产，将可在高阶产品赶上三星与美光等竞争者。

朴星昱针对2015年事业方向表示，将以量产20奈米级DRAM维持领先业者的竞争力。NAND Flash则以TLC技术等强化竞争力，并加强解决方案力量，在市场上巩固地位。SK海力士上半年完工的M14产线将成为加强制造竞争力的核心，同时将发展可克服微细制程瓶颈的次世代存储技术。

海力士目前最先进的制程为25与29纳米，而三星已在去年第四季抢先迈入20纳米制程领域，且预估今年下半年，半数PC用DRAM都会以20纳米制程打造。

据科技网站kitguru.net报导，20纳米制程在300mm晶圆上切割出来的单片芯片数量较25纳米多三成，可降低单位芯片生产成本，并提高利润空间。随着8GB DDR4时代来临，20纳米制程被认为是DRAM厂决胜的关键。

除了三星之外，美光去年第四季也已开始试生产20纳米DRAM，预计今年进入量产，但初期产量将相当有限，预估2015年底，每月会有8万片晶圆转进20纳米制程。