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热点：SK海力士宣布量产321层NAND闪存

SK海力士 https://www.skhynix.com/

SK海力士发布业界最快移动DRAM芯片

编辑：Helan   发布：2014-09-03 17:05
南韩第二大存储器厂SK 海力士 (SK Hynix )今(3)日发布业界最快移动式DRAM芯片，号称传输速度为市面低功耗DDR4(LPDDR4)的四倍快，预计明年即可进入量产。
南韩联合通讯社(Yonhap)报导，海力士新DRAM芯片容量达8GB，采20 奈米技术打造，资料处理速度来到51.2 GB/s，远远高于LPDDR4的12.8 GB/s。
海力士指出，LPDDR4拥有32个I/O(输出/输入)信道，传输速率达3200 Mbps，至于新DRAM芯片则拥有512个I/O通道，虽然每个信道传输速度减为800 Mbps，但整体速度仍提升四倍。 海力士表示，芯片样本已送至系统单芯片(System-on-Chip)制造商做测试，预计量产时间为2015下半年。
企业信息
公司总部
公司名称：
SK海力士
地点：

韩国京畿道利川市

成立时间：
1983年
所在地区：
韩国
联系电话：
+82-31-5185-4114
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