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韩国SK海力士周四宣布，该公司已开发出全球第一款采用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via，TSV)技术的存储器芯片，将大幅提升执行速度与效率。

海力士表示，该款高带宽存储器芯片的执行速度达到每秒128GB，较GDDR5芯片快上四倍，而耗电量仅1.2伏特，省电率达40%。

这款由海力士与美国超微（AMD）合力打造的尖端存储器芯片，以TSV技术结合了四颗40纳米级的DRAM芯片，使DRAM芯片能以更高的电力效能进行连接。

海力士表示，采用TSV技术的存储器芯片可用于要求高绘图效能的设备上，亦可应用在超级计算机与服务器，预计将于明年下半年投入量产。