Hynix:无锡DRAM厂10月恢复 NAND Flash恐短缺
编辑:Helan 发布:2013-09-13 14:54韩国联合通讯社、Thomson Reuters报导,全球第二大DRAM大厂SK hynix今日宣布,遭祝融侵袭的无锡DRAM厂有望在10月起全面恢复正常运作,而该公司也会增加南韩厂房的DRAM产能来弥补损失的产量。
SK hynix表示,这项产能调整会导致NAND Flash暂时陷入短缺。
SK Hynix于9月8日宣布,失火的无锡DRAM厂有一部份已在9月7日恢复运作。据8日报导,SK Hynix无锡厂目前已有部分恢复运作,该厂主要生产智能型手机、平板计算机专用的移动DRAM,包括中兴通讯(ZTE)、华为(Huawei)等中国大陆智能机业者都向SK Hynix购买从无锡厂生产的DRAM。多个消息指出,无锡厂至少需要10天的时间才能恢复正常。
Sanford Bernstein资深分析师Mark C. Newman透过电子邮件表示,一般来说类似的事件会让DRAM价格上涨数个月,虽然整体影响还在评估中,但该证券认为这个意外恐导致全球供应量在未来1-3个月短缺3-12%。在最好的情况下,无锡厂会在1周内完全恢复,令全球供应量在9月份短少3%。