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外电报导，全球第2大内存制造商SK hynix Inc. 10日宣布，已与IBM Corp.签定策略联盟，共同发展次世代非挥发性内存芯片相变随机存取内存(PcRAM：Phase Change RAM)以及技术授权。根据合约，双方将发展储存级内存芯片，专门用来提升服务器与省电效能。

PcRAM的读写速度为传统NAND型闪存(NAND flash)的100倍以上，耐久度也超过1,000倍。此外，PcRAM还可降低生产成本，进而成为次世代的内存解决方案。PcRAM能够储存许多数据，但速度仍不如传统DRAM，因此可结合其它科技或作为取代闪存的技术。

SK hynix自去(2011)年起就开始与东芝(Toshiba)携手开发先进的STT-MRAM内存技术。东芝主管曾表示，STT-MRAM自明年起可应用于部分个人计算机。除此之外，SK hynix还与惠普(Hewlett-Packard)携手开发另一种次世代内存技术ReRAM。