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Hynix:DRAM价格大致触底 下半年开始反弹

编辑:Helan   发布:2012-03-13 16:03
南韩内存大厂Hynix Semiconductor Inc.执行长O.C. Kwon 13日在记者会上表示,DRAM产业可望在今(2012)年下半年开始复苏,主因DRAM价格在尔必达(916665)于2月底宣布破产后终于展开反弹走势。
海力士执行长表示,日本尔必达陷入财务危机之后,客户对海力士增加芯片供应的询问度已经显著增加。海力士为全球第二大内存芯片厂。全球第三大DRAM厂尔必达因无力解决高达56亿美元的债务负担,在2月底声请破产保护。
Kwon指出,DRAM价格最近已大致触底,可望在今年下半年逐步改善,至于会反弹多少则视全球经济复苏情况以及市场供给量而定;此外,供给在尔必达破产、同业投资活动紧缩的带动下,今年的成长率可望维持在低水位。不过,Kwon认为该公司的获利恐难以在本季显著改善。
根据报告,如果超过25%的尔必达产能停产,DRAM平均价格在今年底前可望上涨15%。2月的DRAM现货价格较去年同期下跌约60%,已经不到1美元,严重压缩尔必达和台湾芯片厂的生存空间。
南韩最大行动电话营运商鲜京电信(SK Telecom Co.)甫于2月中旬完成了Hynix 21.05%股权的收购行动。鲜京电信母公司SK Group计划在今年对Hynix的厂房设备投资4.2兆韩元(37亿美元);Hynix之前曾经表示,拟将半数投资预算花在NAND型闪存(NAND Flash)上面。
根据Hynix提供的数据,去年第4季该公司在全球NAND Flash市场的占有率约为12%。Hynix去年Q4净损达2,399亿韩元(2.131亿美元),逊于2010年同期的纯益300亿韩元,已连续第2季缴出亏损成绩单。
企业信息
公司总部
公司名称:
SK海力士
地点:

韩国京畿道利川市

成立时间:
1983年
所在地区:
韩国
联系电话:
+82-31-5185-4114

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