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海力士半导体(Hynix)受DRAM价格暴跌影响，在维持9季盈余后，2011年第3季出现营业利益亏损。此外，加上汇率变动及汇损等因素影响，海力士当季净损规模超过5,000亿韩元(约4.4亿美元)，与韩国证券业者预估数值相去不远。

海力士27日上午公布2011年第3季营收2.29兆韩元(约20.2亿美元)，营损2,770亿韩元(约2.4亿美元)。海力士第3季营收与2010年同期相比减少29.5%，与2011年第2季相比减少16.9%。

实际上，海力士DRAM及NAND Flash出货量虽然各增加9%及16%，然而平均售价却各较第2季减少29%及14%，是造成海力士营收出现大幅恶化的主要原因。

海力士知情人员透露，第3季受到欧洲财政危机扩大等，全球经济充满不安因素，使整体IT需求萎靡。即使进入传统性旺季，因PC需求疲软等造成DRAM价格快速下滑。NAND Flash市场则是相对有较良好的需求增加势。

iPad等移动设备的热销使消费者降低了传统PC的购买量，导致厂商对DRAM存储芯片需求降低，令海力士和其他DRAM厂商都遭受冲击。海力士目前正在努力开发不同类型的移动设备芯片，以期提升销售额。

韩国分析师Park Hyun说：“DRAM价格跌幅很大，无论是削减成本还是扩充产品组合，他们所能做的都很有限”

然而专家认为虽然PC用DRAM需求仍将维持低潮，但后继业者将开始调整产量，第4季应不会出现像第3季时价格骤降的情况，海力士第4季营收应会回升。

韩国KB投资证券公司表示，海力士出现亏损是市场早预料到的，且亏损规模也与预估值相近。海力士第3季营收应已触底，第4季开始将会逐渐回升。然而若因泰国洪灾使PC出货量减少，对DRAM价格将会造成负面影响。

海力士计划提升高附加价值产品比重以对抗危机。海力士计划年底前将30纳米产品比重扩大至40%，并在第4季内完成20纳米产品研发作业。

若能成功转换微细制程，将能提升生产效率，进而改善收益。同时也可拉大与后继业者间的技术差距，强化存储器领先业者的地位。

海力士将维持目前约占70%的行动、绘图及服务器用DRAM等高附加价值产品比重。第4季海力士DRAM出货量增加率估计约25%，年度业界平均增加率可望超过40%。

NAND Flash也顺利转换制程，第3季末20纳米制程比重已超过70%。海力士计划年底将比重提升至70%以上，且于第4季内完成次世代20纳米产品开发。

海力士第4季NAND Flash出货量增加率约15%。预估年底前出货量增加率将大幅超越业界平均达130%。