海力士2Q营收26亿美元 营业利益4.2亿美元
编辑：Helan 发布：2011-07-21 09:33韩半导体大厂海力士(Hynix) 21日上午发布2011年第2季财报。海力士第2季营收2.76兆韩元(约26.15亿美元)；受PC厂商需求疲弱、全球经济疲软的影响，净利仅达4,730亿韩元(4.492亿美元)，较去年同期的7,186.8亿韩元大减34%；营收年减16%至2.76兆韩元；营业利益4,470亿韩元(约4.24亿美元)，与2010年同期相比营收减少16%、营业利益减少56%，然与2011年第1季相比，虽然营收减少1%，但营业利益则增加了38%。
海力士表示，以美元计算的营收较第1季增加，然因汇率问题而出现较第1季减少的情况。
Hynix财报，反映了DRAM自2010下半年起跌价的全球性趋势，消费PC需求没有明显成长，DRAM厂却未相应减产。预期今年全球PC出货量成长率仅将达8-10%，不如他先前预估的10-13%。他表示，成熟市场消费者需求仍然疲软，但新兴市场则保持稳健且持续增长。
Hynix指出，第2季一开始市场需求虽因日本强震引发供应疑虑而颇为稳健，但到了Q2下旬却因需求不如预期而使趋势反转。Hynix Q2 DRAM出货量呈现持平，不如该公司先前预估的1-4%成长率。
海力士表示，第2季初虽然面临淡季，但日本发生震灾后，各厂担忧日本供货短缺，而使需求短暂攀升，然而需求未达到预期，第2季中后期营收快速恶化等，市场变动相当大。
实际上第2季DRAM及NAND Flash等平均销售价格与第1季相比，DRAM减少1%、NAND则暴跌19%。出货量方面，DRAM维持与第1季相同水平，NAND则增加约36%。
海力士相关人员表示，下半年将进入旺季，但因欧洲财政危机及全球景气恢复趋势钝化，整体经济仍存在许多不透明的情况。海力士将会致力于微细制程转换及架构良好的产品收益结构，持续扩大与他厂竞争力的差距。
对于微细制程，海力士透露，2011年第1季投入生产的30纳米等级DRAM比重至年底将扩大至40%。而第2季末比重约占70%的行动装置、绘图、服务器用DRAM等高附加价值产品，也将持续维持其比例。
海力士将加快NAND Flash转换微细制程的速度，第2季末占比重约50%的20纳米等级产品，年底将扩大至约70%，次世代20纳米产品也计划于2011年下半投入量产。
海力士与日厂东芝(Toshiba)为确保在次世代存储器市场的主导权，合作研发STT-M RAM等，正持续为未来的竞争力做准备。
展望本季(Q3)，Hynix预期需求成长将不如以往，主因全球经济成长缓慢导致客户延后下单。Hynix预期Q3旗下DRAM出货量成长率将介于16-19%之间，NAND型闪存出货量成长率则将成长约20%。分析师也预期，全球消费性产品需求逐渐恢复，可望带动DRAM价格回稳，Hynix未来季报应能见好转。
Hynix 21日出现开高走低的态势。截至台北时间21日上午9时37分为止，Hynix下跌0.62%，报24,050韩元。
