SKHynix
SK海力士未来将计划专注于最先进的HBM产品，希望将大部分产能集中在最新一代HBM上，同时逐步淘汰旧产品。
SK海力士预计将在本月底开始量产12层高带宽存储器（HBM3E），并计划与台积电合作生产下一代HBM4产品。
SK海力士在8层HBM3和HBM3E产品中采用MR-MUF技术，在12层产品中采用了Advanced MR-MUF技术，并将在明年下半年出货的12层HBM4产品中采用Advanced MR-MUF技术进行量产。
此次1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。
SK海力士正在积极开发基于DDR5的96GB和128GB CXL 2.0内存解决方案产品，目标是在今年下半年实现商业化，但并未明确具体量产时间点。
这一增长得益于多种因素，包括内存芯片价格的上涨以及对高性能存储产品如HBM3E以及企业级SSD的强劲需求，这些需求推动了SK海力士产品的出货量增加。
据韩媒etnews报道，SK海力士首席执行官郭鲁正近日表示，由于HBM等高性能存储器芯片的强劲需求，存储器芯片市场还将维持一段时间的乐观态势，预计存储器芯片市场将持续活跃到明年年初。
SK海力士就美国印第安纳州半导体先进封装工厂的投资，基于美国《芯片和科学法案》（CHIPS and Science Act）将获得最高4.5亿美元的直接补助和最高5亿美元的贷款。与此同时，美国财政部决定为SK海力士提供在美国投资额最高可达25%的税收抵免。
SK海力士的GDDR7实现了高达32Gbps（每秒32千兆字节）的运行速度，其与前一代相比提高了60%以上，根据使用环境速度最高可达40Gbps。该产品搭载于最新款显卡上，可支持每秒1.5TB（太字节）以上的数据处理，其相当于在1秒内可处理300部全高清（Full-HD）级电影（5GB）。
SK海力士计划在龙仁首座工厂生产以HBM为代表的面向AI的存储器和新一代DRAM产品，也将根据竣工时的市场需求，做好生产另外产品的准备。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
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