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性能提升45%,SK海力士预告HBM3技术规格,然高昂成本仍是大规模普及之路的“拦路虎”

编辑:Mavis   发布:2021-06-11 14:18

众所周知,高成本压力已经成为高宽带存储(HBM)普及的关键制约因素,然而由于高带宽、尺寸小巧、功耗低的优异性能,使其依然成为各家原厂竞相布局的领域。

此前,在高带宽存储进度上,一直是三星略胜一筹,然而近期SK海力士似乎更有先声夺人之势。有媒体报道,SK海力士近日刚刚公布了下一代高带宽内存(HBM3)的技术规格。据悉,其HBM3产品提升传输速率的同时还在散热方面进行了改进。

SK海力士:HBM3带宽将超665GB/s,I/O速率将达5.2 Gbps,性能提升45%

报道称,SK海力士HBM3产品有望实现5.2 Gbps的I/O速率,带宽将高达665 Gbps,性能较HBM2E提升45%。

在容量方面,预计初代HBM3也将基于16Gb DRAM芯片,由8-hi堆栈达成总计16GB 容量,与HBM2E持平。不过随着JEDEC 敲定最终规范,预期后续HBM3的存储密度会进一步增加。

除了性能方面提升,HBM3还在散热方面做了较大创新。据悉,相较HBM2E,HBM3的散热效果能够提升约36%。

报道称,目前SK海力士的HBM3尚处于研发之中,或在明年晚些时候,在市面上见到搭载 HBM3高带宽显存的下一代CNDA架构的AMD Instinct加速卡、英伟达的Hopper GPU以及英特尔Xe-HPC架构的高性能计算加速器等产品。

HBM让AI、深度学习集成度大幅提升,然高昂的成本仍是其面临的巨大挑战

通俗来讲,HBM就是将多个DDR芯片和逻辑芯片通过TSV方式连接,从而达到堆叠的效果。目前为止实现产业化的仅有两代产品。

正是由于堆栈的方式,HBM可以实现更多的IO数量、更小的产品尺寸,并通过对内存的功耗效率的调整,使得功耗也大幅降低。

鉴于HBM的上述优点,使其成为解决AI、深度学习完全放到片上成为可能,集成度提升的同时,使带宽不再受制于芯片引脚的互联数量。

即便HBM拥有诸多优点,但目前仍未成为主流解决方案,最大阻碍莫过于成本过高。据悉,HBM/HBM2都使用了1024根数据线传输数据,这么多数据线,已经无法用传统的PCB布线实现,因此HBM都需要使用额外的硅联通层,通过晶片堆叠技术与处理器连接。而使用硅联通层会带来高成本的缺点。

对于目前短期可见应用来看,对带宽需求并不算高,然而相信随着人工智能社会的到来,当数据量、计算量达到现有的DDR/GDDR带宽瓶颈后,HBM很可能会是唯一解决方案,而降低其制造成本也成为存储厂商必须跨过的门槛。

企业信息
公司总部
公司名称:
SK 海力士
地点:

韩国京畿道利川市

成立时间:
1983年
所在地区:
韩国
联系电话:
82316304114

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