Micron
美光科技宣布开始大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品。与上一代1Ynm制程相比，美光的1Znm 16Gb DDR4产品可提供更高的密度，显着的增强性能以及更低的成本。
美光推出业界首款使用1z nm技术，容量高达 16Gb的 LPDDR4X。同时提供基于UFS多芯片封装的uMCP4，功耗更低能有效延长电池寿命，有更小的尺寸能够应用于更薄的外形设计。
美光14日举行新加坡Fab 10A厂扩建完成启用典礼，正式宣布新工厂将在2019下半年开始生产。新Fab 10A工厂是从2018年开始新建，主要用于生产3D NAND。
美光14日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建。此外，美光亦将加码在台湾DRAM厂投资，台中厂扩建生产线可望在年底前落成。
美光将发行总价值17.5亿美元的优先票据，用以支付给英特尔就收购IM Flash剩余股权事宜。
美光科技公司宣布任命汽车行业执行官MaryAnn Wright为其董事会成员，她将带来巨大的价值，为我们在汽车制造领域，提供高价值解决方案巩固了领先地位。
美光作为DRAM行业的龙头，但是在工艺进度上一直比较稳健，称得上是精打细算，10nm工艺上面更是玩出花样，其中1xnm已经十分成熟，1ynm目前正在扩充产能，生产对象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4颗粒等。
为了进一步改善市场供需，美光决定将NAND Flash晶圆产出减少比例从原来的5%提高到了10%，还将削减2020年资本支出。
美光科技发布截至5月30日的2019财年第三财季财报，该季度营收为47.88亿美元，相比之下去年同期的营收为77.97亿美元；净利润为8.40亿美元，同比下降78%，营业利润10.10亿美元。
Citi Research分析师Christopher Danely周一发布研究报告称，考虑到DRAM市场所面临的糟糕形势，到今年年底美光科技公司可能会亏损。
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