NAND快闪存储器控制IC厂慧荣科技去年第4季营收约6,715万美元,创下历史新高,季增率达6%,第4季税后净利1,606万美元,每单位稀释之美国存托凭证(ADS)盈余0.47美元,约为新台币14.21元。
营收季增6%至创记录的6,710万美元,为连续第8个季度呈现成长;本业每单位ADS自第3季的0.40美元升至0.47美元。根据调查,分析师原先预期慧荣第4季营收、本业每单位ADS各为6,049万美元、0.34美元。
Gill将慧荣与苹果传说中的并购标的Anobit(以色列闪存设计公司)相提并论,称慧荣股价今年有望续强的原因在于任何ARM架构智能型手机(苹果除外)都可使用慧荣的eMMC闪存控制器。
今年台湾IC设计业每股获利王大洗牌,以储存型闪存(NAND Flash)记忆卡控制IC起家的群联,挤下联发科,前三季赚回一个股本,成为投资界亮眼的一颗星;在地球的另一端,成立九年的慧荣科技(Silicon Motion)也在美国那斯达克挂牌,同样也是华人在
慧荣总经理苟嘉章表示,储存型闪存(NAND Flash)应用商机无穷,慧荣已在全球记忆卡控制IC取得一席之地,将迈向当红的嵌入式闪存(eMMC)领域,目标五年后取得全球eMMC四成市占,并透过行动通讯相关应用,打造下一波事业高峰。
第三季营收主要受惠于市场上NAND Flash供货超乎预期,以及三星加快4G LTE智能型手机的布建脚步。行动储存出货量季增23%,较去年同期成长51%。
慧荣科技(NasdaqGS: SIMO)今日公布2011年第二季财报,营收约5,050万美元,较上一季成长16%,比去年同期成长56%。第二季毛利率46.9%,税后净利988万美元,每单位稀释之美国存托凭证盈余由前季的0.18美元0.29美元。
IC设计公司慧荣2011年第1季控制芯片出货量持续攀高,达1.33亿颗,较上季成长5%,要是大客户三星电子(Samsung Electronics)、OEM及模块客户等订单增加所贡献,尤其是OEM客户占行动储存营收比重已攀升至40%,对于近期热门的产品固态
NAND Flash控制芯片大厂慧荣科技(Silicon Motion Technology Corp.)在28日美股收盘后公布2011年第Q1财报:营收年增67%(季增8%)至4,340万美元,连续第5个季度成长;本业每单位ADS稀释盈余达0.18美元,
NAND Flash控制芯片大厂慧荣科技(Silicon Motion Technology Corp.)即将在4月25日公布2011年第1季(1-3月)财报,6日ADS飙涨19.09%,收9.42美元,创2008年7月29日以来收盘新高;年初迄今ADS涨
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