Micron
美光的博伊西工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外光刻 (EUV)，以推动下一代 DRAM 的行业领先地位。
这将是 20 年来在美国建造的第一家新的存储制造工厂，在加速采用人工智能和 5G 的推动下，确保供应美国汽车和数据中心等细分市场所需的领先存储芯片。
两家公司还在合作研究替代蚀刻气体的材料，蚀刻气体具有很高的全球变暖指数，可用于干法蚀刻和腔室清洁。
理想L9跨域控制单元还搭载了美光的NOR闪存和eMMC技术，以确保整体系统的稳健性，并缩短系统启动时间。
预计美光将在未来几周内分享有关其计划的更多细节。
232层NAND推出全球首款六平面TLC量产NAND。它在所有 TLC NAND中每个芯片的平面最多，并且每个平面都具有独立的读取能力。
美光科技公司报告称，由于该地区的恶劣天气，其广岛 DRAM 制造厂于 2022 年 7 月 8 日星期五经历了长时间的电力中断。
美光今天宣布向商业和工业渠道合作伙伴推出美光DDR5服务器DRAM，以支持下一代英特尔和AMD DDR5服务器和工作站平台。
美光宣布向数据中心市场推出基于176层3D NAND的SATA SSD：美光 5400。该款产品采用技术稳定的第十一代SATA架构，可实现广泛的使用案例，提供比传统硬盘驱动器更好的性能，并延长SATA平台的使用寿命。
美光宣布其LPDDR5产品已获得国际标准化组织ISO26262 汽车安全完整性等级 (ASIL) D 内存认证。该内存基于1-alpha制程工艺打造。随着下一代高级驾驶辅助系统 (ADAS) 应用需要更高的自主性和安全性，该认证证明美光的 LPDDR5 符合严格的功能安全标准并将其定位为能够实现智能汽车完全自主的创新。
爱达荷州博伊西
深圳福田区金田路安联大厦4018号B座10F
美光G9 TLC NAND 2024-07-31
Micron 232层NAND 2022-07-27
Micron 3D TLC B95A 2019-05-09
Micron 3D TLC B27A 2018-03-14
Micron 3D TLC B27B 2018-03-14
美光HBM3E 2024-02-27
Micron DDR5 DRAM 2020-01-06
美光DDR4 DRAM 2016-01-26
美光9550系列数据中心SSD 2024-07-24
Micron 2500 NVMe SSD 2024-04-17
Micron 3500 NVMe SSD 2023-12-05
Micron 7500 NVMe SSD 2023-10-17
Crucial T700 PCIe Gen5 SSD 2023-05-30
美光DDR5 RDIMM 2024-05-07
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Crucial LPCAMM2 2024-05-07
Crucial DDR5 Pro Memory 2023-05-17
Crucial DDR4 Pro Memory 2023-05-17
Micron DDR5 Part Catalog 2020-01-06
Micron UFS 4.0 2023-10-30
Micron车用UFS3.1 2020-06-01
Micron e·MMC 5.0系列 2015-11-25
Micron e·MMC4.5系列 2014-07-16
Micron MCP系列 2013-07-20
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