美国记忆体晶片大厂美光(Micron)上季财报亮丽,并且为连续三个季度呈现获利,但周二股价大跌逾13%,主要是投资人担忧下季获利减缓。国内DRAM厂今日股价表现也跟进下跌。
美光17日表示,预期PC记忆体需求强劲,今年将大举扩产,至于是否为景气高点,美光总裁暨执行长Mark Durcan则说,需求持续成长,对于美光而言并不是景气高点。
美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收购NOR Flash大厂恒忆(Numonyx BV)的所有程序。依据协议,美光已发行大约1.38亿股普通股(大约相当于12亿美元)给恒忆股东(英特尔、意法半导体、私募股权基金Franci
内存组件转向采用铜导线(copper interconnect)的趋势在2009年达到高峰,因此尽管当年整体半导体设备产业销售业绩衰退达40%以上,其中与铜导线直接相关的设备业绩却仅衰退8.7%。
继三星,力晶等内存芯片大厂对内存芯片产能提升事宜公开发表意见之后,美光公司近日也表态称他们今年没有提升内存芯片产能的计划,美光表示他们将专注与缩 减内存芯片的制程尺寸,以便提升自己的产品竞争力。
Intel、美光合资公司(IMFT)宣布,25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售,预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。
笔记型电脑、伺服器需求持续为DRAM出货量、均价带来上升动能,而美光的零售固态硬碟(SSD)已销售一空。
美系内存大厂美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程,预计于2010年中量产,竞争对手三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)亦不甘示弱推出27奈米、26奈米制程技术;
美系内存大厂美光(Micron)在购并NOR Flash龙头大厂恒忆(Numonyx)之后,加入2项重要产品线,分别为NOR Flash产品线和相变化内存(Phase Change Memory;PCM)。
三星电子半导体部门总裁权五铉(Kwon Oh-hyun)23日在接受韩国时报(The Korea Times)专访时表示,虽然记忆体景气逐渐增温,但若因此要在今(2010)年持续抱持乐观的态度则仍嫌过早。
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