Micron
使用第 4代 AMD EPYC处理器系统，美光实现了每插槽 378 GB/s 的峰值内存带宽，而第 3 代 AMD EPYC 处理器系统为 189 GB/ s，系统内存带宽增加了两倍。
3年多来，美光进一步投资数十亿美元，将其晶圆厂改造为先进、高度自动化、可持续和人工智能驱动的设施。这包括对美光在日本广岛的工厂的投资，该工厂将在1β上大规模生产DRAM。
美光在纽约的超级工厂是其战略的一部分，该战略旨在在未来十年将美国制造的领先 DRAM 产量逐步提高到公司全球产量的 40%。
美光的博伊西工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外光刻 (EUV)，以推动下一代 DRAM 的行业领先地位。
这将是 20 年来在美国建造的第一家新的存储制造工厂，在加速采用人工智能和 5G 的推动下，确保供应美国汽车和数据中心等细分市场所需的领先存储芯片。
两家公司还在合作研究替代蚀刻气体的材料，蚀刻气体具有很高的全球变暖指数，可用于干法蚀刻和腔室清洁。
理想L9跨域控制单元还搭载了美光的NOR闪存和eMMC技术，以确保整体系统的稳健性，并缩短系统启动时间。
预计美光将在未来几周内分享有关其计划的更多细节。
232层NAND推出全球首款六平面TLC量产NAND。它在所有 TLC NAND中每个芯片的平面最多，并且每个平面都具有独立的读取能力。
美光科技公司报告称，由于该地区的恶劣天气，其广岛 DRAM 制造厂于 2022 年 7 月 8 日星期五经历了长时间的电力中断。
爱达荷州博伊西
深圳福田区金田路安联大厦4018号B座10F
美光G9 TLC NAND 2024-07-31
Micron 232层NAND 2022-07-27
Micron 3D TLC B95A 2019-05-09
Micron 3D TLC B27A 2018-03-14
Micron 3D TLC B27B 2018-03-14
美光HBM3E 2024-02-27
Micron DDR5 DRAM 2020-01-06
美光DDR4 DRAM 2016-01-26
美光9550系列数据中心SSD 2024-07-24
Micron 2500 NVMe SSD 2024-04-17
Micron 3500 NVMe SSD 2023-12-05
Micron 7500 NVMe SSD 2023-10-17
Crucial T700 PCIe Gen5 SSD 2023-05-30
美光DDR5 RDIMM 2024-05-07
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Crucial LPCAMM2 2024-05-07
Crucial DDR5 Pro Memory 2023-05-17
Crucial DDR4 Pro Memory 2023-05-17
Micron DDR5 Part Catalog 2020-01-06
Micron UFS 4.0 2023-10-30
Micron车用UFS3.1 2020-06-01
Micron e·MMC 5.0系列 2015-11-25
Micron e·MMC4.5系列 2014-07-16
Micron MCP系列 2013-07-20
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