Micron
美光将于2024年发货4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 128GB RDIMM产品，未来将提升至8000 MT/s。
美光科技宣布推出 Crucial T500系列Gen4 NVMe SSD：采用PCIe 4.0接口，搭配美光232 层 3D NAND 技术以及业界领先的 NAND I/O 速度（每秒 2.4 GB/s）、
美光科技宣布，其LPDDR5X内存的生产样品现已发货，采用1β (1-beta) 工艺制程，容量高达16GB，具有业界最高的性能和最低的功耗，为设备上的 AI 提供前所未有的支持，加速边缘生成式 AI 的功能。
美光符合 Snapdragon平台资格的128GB UFS 3.1和 8GB LPDDR5X 现已通过美光的销售渠道、分销商和合作伙伴提供给MR生态系统。
美光宣布推出适用于数据中心工作负载的7500 NVMe SSD，采用美光232层3D NAND，随机写入性能比竞争对手的硬盘高出242%。
在美光45周年庆祝之际，美光宣布在槟城开设了新的领先的组装和测试工厂。
据媒体报道，美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E存储产品，并透露NVIDIA是该产品的主要客户之一。
美光科技宣布推出16Gb DDR5，扩展了其行业领先的1β(1-beta)工艺节点。美光1β制程DDR5 DRAM速度已高达7,200 MT/s，现已向所有数据中心和PC客户发货。美光基于1β制程的DDR内存采用先进的高-k CMOS器件技术，与上一代相比，性能提升高达50%，每瓦性能提高33%。
美光宣布委派李新明（Jeff Li）先生担任美光中国政府事务负责人，管理美光中国区的政府沟通及公共事务。
美光已向美国商务部提出资金申请，为其位于爱达荷州首府波伊西(Boise) 和纽约州的存储芯片制造厂申请资金补贴及投资税收抵免。
爱达荷州博伊西
深圳福田区金田路安联大厦4018号B座10F
美光G9 TLC NAND 2024-07-31
Micron 232层NAND 2022-07-27
Micron 3D TLC B95A 2019-05-09
Micron 3D TLC B27A 2018-03-14
Micron 3D TLC B27B 2018-03-14
美光HBM3E 2024-02-27
Micron DDR5 DRAM 2020-01-06
美光DDR4 DRAM 2016-01-26
美光9550系列数据中心SSD 2024-07-24
Micron 2500 NVMe SSD 2024-04-17
Micron 3500 NVMe SSD 2023-12-05
Micron 7500 NVMe SSD 2023-10-17
Crucial T700 PCIe Gen5 SSD 2023-05-30
美光DDR5 RDIMM 2024-05-07
.jpg)
Crucial LPCAMM2 2024-05-07
Crucial DDR5 Pro Memory 2023-05-17
Crucial DDR4 Pro Memory 2023-05-17
Micron DDR5 Part Catalog 2020-01-06
Micron UFS 4.0 2023-10-30
Micron车用UFS3.1 2020-06-01
Micron e·MMC 5.0系列 2015-11-25
Micron e·MMC4.5系列 2014-07-16
Micron MCP系列 2013-07-20
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱：Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场（ChinaFlashMarket） 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2
