Micron
内存组件转向采用铜导线(copper interconnect)的趋势在2009年达到高峰，因此尽管当年整体半导体设备产业销售业绩衰退达40%以上，其中与铜导线直接相关的设备业绩却仅衰退8.7%。
继三星，力晶等内存芯片大厂对内存芯片产能提升事宜公开发表意见之后，美光公司近日也表态称他们今年没有提升内存芯片产能的计划，美光表示他们将专注与缩 减内存芯片的制程尺寸，以便提升自己的产品竞争力。
Intel、美光合资公司(IMFT)宣布，25nm新工艺NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。
笔记型电脑、伺服器需求持续为DRAM出货量、均价带来上升动能，而美光的零售固态硬碟(SSD)已销售一空。
美系内存大厂美光(Micron)日前正式推出25奈米NAND Flash制程，预计于2010年中量产，竞争对手三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)亦不甘示弱推出27奈米、26奈米制程技术；
美系内存大厂美光(Micron)在购并NOR Flash龙头大厂恒忆(Numonyx)之后，加入2项重要产品线，分别为NOR Flash产品线和相变化内存(Phase Change Memory；PCM)。
三星电子半导体部门总裁权五铉(Kwon Oh-hyun)23日在接受韩国时报(The Korea Times)专访时表示，虽然记忆体景气逐渐增温，但若因此要在今(2010)年持续抱持乐观的态度则仍嫌过早。
美光(Micron)和南亚科正式宣布加入40奈米DRAM制程大战，今(9)日将携手宣布42奈米2Gb容量DDR3产品正式问世
日前，西安高新区与美国美光科技公司签署新投资项目合作协议，美国美光科技公司在继2.5亿美元投资西安高新区后，将再投资3亿美元在高新区发展半导体测试项目。双方的正式签约，使高新区招商引资在新年内实现开门红。
在美国ＤＲＡＭ大厂美光季报由亏转盈的激励下，台股ＤＲＡＭ类股成为上周股价表现最强势族群，包括华邦电、南科、华亚科等单周都有高达二成以上涨幅。
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