传美光将退出NOR Flash,更专注NAND和DRAM市场
编辑:Helan 发布:2017-02-13 11:33近期,传美光将退出NOR Flash,拟处理旗下NOR芯片事业,并传出华邦电和兆易创新可能为市场买家。美光内部证实确有此规划,但并未透露相关细节。华邦电总经理詹东义则表示并未听说,但会慎重进一步研究。
随着数据存储需求的不断增加,2016年DRAM和NAND Flash市场供应紧缺,NAND Flash价格涨幅更是近一倍。相比之下,NOR Flash市场需求和价格显得比较落寞,美光调整业务结构也是为了集中精力于DRAM和NAND Flash市场。
2017年初NAND Flash和DRAM市场供货吃紧未见明显改善,而且NAND Flash技术正在加快向3D NAND过渡,DRAM制程也要向10nm级切换,对技术、量产等的要求增加。美光作为第三大DRAM生产商,也是主要的NAND Flash供应商,2017年在保证DRAM和3D NAND切换顺利的同时,还将以提升生产效率为目标。
美光(Micron)合并华亚科后,台湾成为美光的DRAM重要生产基地,内部设定是以三星为目标。美光执行长去年底称要加码台湾投资,目前台湾美光员工约6,000人,将再网罗1,000人加入台湾美光,加快DRAM先进制程技术的发展。
据悉,美光台中厂和美光桃园厂目前分别生产25nm和20nm制程技术,台中厂会率先导入美光最先进的1xnm制程,目前已经在进行制程转换,2016年、2017年预计投入20亿美元,直接由25nm转进1xnm制程,预计下半年1xnm投片量可过半。
NAND Flash方面,美光的32层3D NAND为目前国内市场各品牌SSD的主要货源之一,64层3D NAND已于2016年12月送样,2017年将逐步进入量产阶段。新加坡IMFS Fab10N工厂在2016年初逐步增加32层3D NAND,减少16nm MLC比例,2017年逐步转向64层3D NAND生产。新加坡IMFS Fab10X预计在2017年Q1开始试产,主要生产64层3D NAND,大连Fab68也预计2017年中期转至64层量产。