美光 http://www.micron.com/

美光公司(Micron)表示将在18个月内为其搭载 DDR4 汇流排的 DRAM 记忆体模组增加 NAND 快闪记忆体(flash)。该公司预期，这种可封装256Gb记忆体的混合式 DIMM (Hybrid DIMM) 将可支援微软(Microsoft) Windows 系统，并实现超越当今搭载 PCI Express 的固态硬碟(SSD)效能，从而开启更多新应用。

美光公司表示，此举将赋予 flash在电脑记忆体层级中的全新定位。这种 Hybrid DIMM 虽然比 SSD 更加昂贵，但可提供更高效能──奈米级的记忆体接取速度，而非微秒(ms)级速度。

包括OEM与终端用户正与美光洽谈这种 Hybrid DIMM 的可能应用，包括记忆体内(in-memory)资料库等。美光公司认为，该模组可望作为结合大型 DRAM 快取的更快速 SSD 、结合 flash 的 DRAM 模组，以及基于 DRAM 的 flash 储存等应用。

这种 Hybrid DIMM 采用专用控制器作为主介面连接处理器，同时还搭配了另一个快闪记忆体控制器。 Windows 系统的支援也是实现这种混合式 DIMM 的关键。美光公司在过去六个月以来已针对该技术进行多次讨论，但目前尚未发布这部份的细节。

美光公司现正致力于开发针对 Linux 系统的支援，期望在推出 DDR4 产品时发布相关软体。

据传三星已经表达对该项技术十分感兴趣。但三星和微软都并未对此加以回应。

此外，美光与其合作夥伴Gigatech Products已经出样非挥发性的 DIMM 产品了，结合 flash 和超级电容器作为 DRAM 的备案，以因应电源发生故障的情况。而Netlist公司据称已经推出类似的产品了。

从长远来看，美光预计推出 Hybrid Memory Cub (HMC)──这种结合 3-D 记忆体与逻辑堆叠的版本适用于整合ASIC和FPGA。目前的的 HMC 的设计采用一种具有16个串列解串器(serdes)的介面，可以10Gb/s的速度执行，并可调谐至15Gb/s。预计在2016年时还将开发出频宽达300GB/s的元件版本。