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Micron Technology, Inc.（美光科技）今日宣布，其下一代GDDR7图形内存产品已进入样品阶段，该产品拥有业界最高位密度。基于Micron的1β（1-beta）DRAM技术和创新的架构设计，Micron GDDR7提供了32 Gb/s的高性能内存，且在功耗优化设计中表现出色。

与GDDR6相比，GDDR7的系统带宽提升了60%，达到1.5 TB/s，并具备四个独立通道，以优化各种工作负载。这使得GDDR7内存能够提供更快的响应时间、更流畅的游戏体验和缩短的处理时间。此外，GDDR7在能效上比GDDR6提高了50%以上，改善了热管理并延长了电池寿命，新的睡眠模式进一步将待机功耗降低了70%。

Micron GDDR7内存还具备先进的可靠性、可用性和可维护性（RAS）特性，增强了设备的可靠性和数据完整性，同时不牺牲性能。这使得GDDR7的应用范围扩展到了人工智能、游戏和高性能计算工作负载。

在生成式AI工作负载（如文本到图像的创建）方面，Micron GDDR7内存提供的高性能可以增加高达33%的吞吐量，并减少高达20%的响应时间。此外，Micron预计采用GDDR7的显卡将在光线追踪和光栅化方面提供超过当前GDDR6和GDDR6X趋势30%以上的每秒帧数（FPS）提升，覆盖1080p、1440p和4K分辨率。

GDDR7的加入完善了Micron在边缘AI推理应用方面的行业领先产品组合，该组合包括用于CPU、NPU和GPU组件的DDR、LPDDR和GDDR内存选项。对于游戏应用，Micron GDDR7内存通过性能和帧缓冲区扩展，支持AI增强的游戏玩法，实现可适应的游戏景观、玩家和故事情节。

美光计算产品集团副总裁兼总经理Praveen Vaidyanathan表示：“Micron再次站在了内存创新的前沿，开发了业界可用的最高带宽解决方案，这些解决方案采用了先进的工艺和接口技术，以实现持续的图形性能领导地位。Micron GDDR7内存的一流能力有助于为最苛刻的应用带来新的现实主义和性能水平。”

Micron在GDDR6X上拥有超过五年的成功大规模生产经验，一贯提供了世界级的性能和质量。这些特质，加上成熟的技术、设计和测试经验，将有助于加速GDDR7的采用，并为产品制造增长提供全谱系支持。Micron在GDDR6X上引入了PAM4信号，提供了超过GDDR6 20%以上的领导性能。PAM4的成功为Micron在GDDR7产品组合中继续以PAM3保持领导地位奠定了基础，诸如测量业界首个40 Gb/s PAM3性能的工程进步，为未来GDDR7产品的更高性能铺平了道路。

生态系统合作伙伴对Micron GDDR7内存解决方案的评价：

AMD高级副总裁兼公司院士Joe Macri表示：“我们致力于创造最身临其境的游戏体验。我们与Micron在GDDR7上的合作推进了我们的共同目标，我们对Micron推出GDDR7感到兴奋，我们期待利用这项技术使游戏更加响应迅速和栩栩如生。”

Cadence硅解决方案集团高级副总裁兼总经理Boyd Phelps表示：“Cadence与Micron有着合作开发GDDR、HBM、DDR和LPDDR的行业领先内存IP子系统解决方案的悠久历史。我们正在使用基于Micron领先的1β DRAM技术GDDR7的样品，测试和验证在高达36 Gb/s速度下运行的GDDR7 PHY IP。”