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美光近日推出首款符合UFS 4.0标准的存储设备，预计将在今年即将推出的旗舰智能手机、平板电脑和超低功耗笔记本电脑中使用。

美光UFS 4.0存储设备提供256GB、512GB 和1TB三种容量选择，采用自研低功耗控制器。其中512GB和1TB UFS 4.0产品采用美光232层六平面1Tb 3D TLC NAND，可提供高达4,300 MB/s的顺序读取速度以及高达4,000 MB/s的顺序写入速度。而256 GB版本速度稍慢，因为它使用四平面3D NAND。

UFS 4.0解决方案：

顺序读写速度是前几代产品性能的两倍；

能效提高25%；

与竞争对手相比，写入延迟提高了10%；

允许用户在不到15秒的时间内快速下载两个小时的 4K 流媒体内容，速度是上一代2的两倍。

美光UFS 4.0存储设备采用美光先进的232 层 3D NAND 及其内部开发的控制器和固件进行独特设计。这种紧密的垂直集成使美光能够优化硬件和固件之间的协同作用，从而在质量、性能和功耗方面保持行业领先地位。

美光目前正在向全球主要移动制造商和芯片组供应商提供其 UFS 4.0 存储解决方案的样品，并将于今年下半年开始大批量生产。