未来两年，美光将砸20亿美元研发13nm DRAM
编辑：Helan 发布：2017-05-31 13:56Nikkei Asian Review、BusinessKorea报导，在DRAM市场，三星工艺制程领先对手1~2年，2016年下半年首先量产18nm DRAM，计划2017下半年推进至15nm。IHS Markit估计，2017年底为止，三星计划把18nm DRAM的生产比重提高至30%。
DRAM第三大厂美光拼命追赶，计划未来两三年砸下20亿美元，研发13nm DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器。进入13nm制程之后，生产力将提高20%。美光2017年主要是提高18nm DRAM产量。
SK海力士4月已向客户提供18nm DRAM工程样品，准备先量产PC用的18nm DRAM，接着再投入移动设备用的18nm DRAM，预计于第3季进入量产阶段。SK海力士会优先提高21nm制程良率，再逐渐转向18nm。SK海力士透露，公司正在研发1ynm DRAM制程，量产时间还不确定。
此外，三星将扩充华城厂Fab 17产线的DRAM产能，生产10nm等级的DRAM。三星已告知设备厂扩产计划，估计投资金额约为2.5兆~3兆韩元，完工后每月增产3.5万片晶圆，预定2017年下半进入初期生产阶段。
