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Micron 于 Flash Memory Summit 2013 ( 闪存峰会 2013) 上发表 16nm NAND 工艺技术，实现了现时 NAND 业界中最小的 128Gb MLC NAND 闪存设备。

透过最新发表的 16nm NAND 工艺，让 NAND Flash 可在现有的多层单元设备 (MLC) 中，提供平方毫米位宽最高，而且价格最低廉的方案 ，并可在单一晶圆上创造几乎可达 6 TB 的存储量。

据 Micron 表示，最新发表的 16nm NAND 工艺让 Micron 延伸了市场地位，并，提供现时世界上最小的 128Gb MLC 设备，并提供符合绝佳成本效益的方案，以配合消费类固态硬盘、移动存储设备、平板电脑，超薄设备，手机和云存储数据中心等应用市场。

同时更获得闪存峰会 2013 的创新产品和解决方案年度最佳奖项。这是次创新产品和解决方案年度最佳奖项由 Flash Memory Summit 2013 ( 闪存峰会 2013) 专家小组评估，根据应用技术独特性，闪存技术的创新以及该技术市场意义等作为标准。

而据是次奖项计划的主席 Jay Kramer 表示，今年闪存高峰会奖委员会应为 Micron 16nm NAND 技术能够产出业界最小的 128Gb MLC NAND 闪存设备，对该行业的半导体技术提供了大跃进，同时也提升了 Flash 技术价值，因此委员会不得不选择成为最具创新性的闪存技术。