美光推出第三代低延迟记忆体RLDRAM
编辑：Helan 发布：2010-07-14 17:38美光科技(Micron Technology, Inc.) 宣布推出第三代低延迟DRAM (RLDRAMR 3记忆体)，一种高频宽记忆体技术，能更有效的传输网路资讯。影像内容、行动应用和云端计算的蓬勃发展，产生了对更高效网路基础设施的需求，以能线上传输大量资料。与前几代产品相比，RLDRAM 3记忆体进一步提高了储存容量和速度，同时将延迟减至最低，降低了功耗，在网路应用中效能更好。
美光的DRAM行销副总裁Robert Feurle表示，随着网路内容消费的不断增长，人们日益需要有一种能支援网路流量增长的技术，美光的RLDRAM 3记忆体满足了这种需求。
对于现有的RLDRAM 2，美光将继续提供最高水准的技术支援，并计画长期生产该产品。此外，美光正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50nm制程，提高系统效能，降低功耗。
另一方面，美光持续与庞大的合作伙伴网路维持紧密联系，目前合作的FPGA可程式逻辑IC公司包括Altera 和Xilinx，RLDRAM 3记忆体可整合到其产品系列中。
美光表示，预计将在2011年上半年开始对其RLDRAM 3进行抽样，目前正与客户合作，征求其对RLDRAM 3记忆体设计的意见。此外，美光预计将在2010年第四季度开始对其50nm RLDRAM 2产品进行抽样。
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