众所周知，NAND Flash行情随着产业供需关系变幻呈现很强的周期性特点，根据闪存市场ChinaFlashMarket数据，今年上半年NAND Flash市场随着智能手机厂商提前扩容，服务器和PC笔记本需求夯实进入上行周期，NAND Flash价格指数上涨逾15%。然而，来到下半年，随着智能手机销售疲软，存储行情由结构性供需失衡转为全面供过于求，NAND Flash价格指数下滑超12%。

随着行情的跌宕起伏，铠侠的获利水平也在亏损和盈利之间反复横跳。根据铠侠最新财报，截止至2021年9月30日，铠侠三季度收入为4005亿日元（约36亿美元），环比增长22%，同比增长22%；营业利润达到780亿日元（约7亿美元），环比增长122%，同比增长294%，达到三年来高点；净利润447亿日元（约4亿美元），环比增长263%，同比增长459%。

注：FY21Q2指2021年7月-9月

正是由于业绩营收起伏不定，加上国际贸易紧张、疫情等各种因素叠加，使铠侠原本定于在去年十月实施的上市计划一再延期。近期，日媒报道，按照目前的情况，铠侠预计最早在2022 年1月重启上市。并且自今年上半年起，就陆续有传闻称西部数据正与铠侠就收购事项进行谈判，更为其上市之路增添疑雾。

铠侠电子（中国）董事长兼总裁岡本成之回应称，“一直以来，我司制定的上市方针，没有变化，现在也是一样，正在选择合适的上市时机。提到的与WD并购消息，这并不是我司发布的，对市场的猜测和业内的传说，我司无法发表评论，请谅解。”

近年来，几大核心闪存原厂主要通过产品技术升级及现有产线扩充实现产能提升，仅三星和铠侠/西部数据积极投建新的Fab厂区。

其中，今年中旬三星所有西安产线已全面投入运营，合计月产能达15万片；平泽P3工厂建设也已经开始启动，预计在2022年3月有望导入生产设备。作为NAND市占仅次于三星的铠侠也不甘落后，于今年一季度先后宣布K2和Fab7两个厂区的建设计划，足见其对NAND 市况长期看好的态度。

注：Fab7和K2为铠侠新建工厂

岡本成之表示，“随着在家办公和在线学习的普及，市场对闪存颗粒的需求都维持在较高水平，中长期看，NAND市场也将持续扩大，出货量也将大幅增加。”

一直以来，在闪存领域，铠侠的技术底蕴是毋庸置疑的。在今年二月份，铠侠官宣了162层BiCS6闪存技术，从堆叠层数上看，与三星、美光的176层3D NAND似有差距，对此，铠侠电子（中国）闪存颗粒技术统括部总经理森 计三表示，“铠侠BiCS6不仅在堆叠技术上发力，另外也采用了创新平面技术，实现更低层数及Die的小型化，具体而言，BiCS6比BiCS5尺寸缩小约40%，BiCS6预计在2022年开始量产。”

除了在现有闪存工艺上不断优化之外，对新型存储技术的探索也取得了积极的进展：

※ 铠侠已掌握15nm纳米压印量产技术，设备投资较EUV降低60%，铠侠有望在2025年采用NIL技术量产NAND

近期，有日媒报道称，铠侠从2017年开始与半导体设备厂佳能，以及光罩、模板等半导体零组件制造商DNP合作，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术(NIL)的量产技术，铠侠已掌握15nm量产技术，目前正在进行15nm以下技术研发，预计2025年达成。

图片来源：精密工学最前沿

与目前已实用化的极紫外光(EUV)半导体制程细微化技术相比，NIL更加减少耗能且大幅降低设备成本。因NIL的微影制程较单纯，耗电量可压低至EUV生产方式的10%，并让设备投资降低至40%。而EUV设备由ASML独家生产供应，不但价格高，且需要许多检测设备配合。目前NIL在量产上仍有不少问题有待解决，包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。

如果铠侠能成功率先引进NIL量产技术，可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面，又能符合减少碳排放的需求。对铠侠来说，NAND组件采取3D堆叠立体结构，更容易实现NIL技术的微影制程。铠侠表示，已解决NIL的基本技术问题，正在完善量产技术，希望能率先引入NAND生产。

※ 铠侠已成功研发出HLC（6bit/cell），并表示OLC（8bit/cell）也不是不可能！

今年中旬，铠侠通过论文披露通过创新技术成功研制出了HLC（6bit per cell）技术，且在77K温度下，铠侠HLC产品即便经过100min和P/E循环1000次的数据保留Vth分布依然紧凑。

通过铠侠研究表明，低温操作不仅可以增加NAND Flash每个存储单元电荷数量，实现存储密度上升和单位bit成本降低。并且由于性能提升，也有助于推动3D NAND向量子计算机、空间电子等应用领域扩展。

然而，值得注意的是，当前铠侠HLC技术只是在学术层面，而并非商用层面，仅为存储业者提供新的解决思路。此前铠侠合作伙伴西部数据就曾表示，从QLC到PLC技术过渡将更加缓慢，可能到2025年才陆续有相关产品问世。据此推断，真正商品化的HLC产品仍需多年才能面世。

※ 晶圆级SSD

此前，铠侠首席工程师Shigeo Oshima曾在一次演讲中介绍了晶圆级SSD技术和发展。从成本方面，晶圆级SSD可以避免切割和封装，并且有机会能够制备成具有数百万IOPS巨大性能的超级扩展SSD。

目前该技术只是一个概念，还处于早期开发阶段。

当然，上述例证仅是铠侠技术版图中的小部分，但也能看出其不断进取的野心，期待铠侠在下一次闪存技术发展的关键节点中发挥出重大的推动作用。

铠侠延续了东芝存储器的市场布局，独立运营之初，在企业级市场上拥有固有优势，但相对来讲，在消费类市场布局相对薄弱。

因此，更名独立运营之后便动作不断，通过整合光宝、OCZ资源扩大在消费类市场的布局，并推出“铠侠”新消费类品牌，其最终目的是为了摆脱其墨守成规仅专注于企业间的B2B市场，主要是数据中心、企业级等需求量大且利润可观的市场而忽略消费类市场的形象。

对此，铠侠电子（中国）SSD事业统括部首席顾问护谷得之表示，“铠侠十分看好消费类市场发展，并将持续投入，包括主流PC SSD领域、5G智能手机领域，电视类的eMMC领域中铠侠也保持着较高的市场份额。”

另外，铠侠表示，“看好中国数据中心市场发展，计划导入最新的PCIe Gen4接口CD7（第二代Gen4）SSD产品，满足数据中心客户需求。在企业级服务器的SAS市场，我们推出最新SAS4接口PM6产品，数据传输性能比上一代SAS3产品提升一倍，目前已经在销售。为了弥补DRAM和SSD之间产品性能差距，我们也推出了FL6系列产品。”

在NAND Flash这个先发制人，后发制于人的市场，铠侠的先发优势固然显著，即便后期在市场激烈的动荡与变迁中经历了些曲折，但是自身的优良基因依然延续到了新生的铠侠身上。充分发扬自身优势，并努力摆脱固有形象，以更加灵活、创新的姿态面对市场无疑是铠侠当前的关键策略。我们也有理由相信，无论闪存市场经历怎样的沉浮，铠侠都将是一抹绚丽的颜色。