2019上半年存储产业价格和需求表现低迷,下半年在多方因素影响下,NAND Flash和DRAM价格触底反弹,再加上8、9月市场备货需求增加,存储产业显现出触底反弹之势。然而,好景不长,虽然原厂库存消耗的速度加快,但是产业库存压力仍在,市场价格再次进入下滑通道,再加上原厂新工厂、投资策略,贸易战等诸多不确定性因素影响,产业后续将如何发展?
经历2018年消费类NAND Flash价格大跌后,2019上半年再跌32%,使得存储产业链企业苦不堪言。2019下半年,在三星减少资本支出,美光、SK海力士、英特尔减产,西部数据、铠侠(原东芝存储器)工厂产能损失,以及部分原厂涨价等因素影响下,NAND Flash价格在7月触底反弹,仅仅在1个月半月里,消费类NAND Flash价格指数涨幅高达30%,基本回到年初水平。
消费类市场NAND Flash综合价格指数走势
中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com,数据截止至2019年10月30日
消费类NAND Flash每GB价格走势图
中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com,单位:美金
受NAND Flash价格上涨,Q3市场需求随季节性增加,以及中美、日韩贸易战影响下相关企业提前备货,带动原厂营收环比增加。据最新财报显示,2019年Q3季度三星、西部数据、美光、SK海力士、英特尔营收分别环比增长10.5%、11%、2%、6%、16%,但从净利润来看,三星、美光、SK海力士、英特尔与2018年同期相比分别同比下滑52%、87%、89%、6%,西部数据不仅同比由盈转亏,亏损金额甚至较上一季进一步扩大。在产品获利方面,原厂依然面临着很大的挑战。
原厂存储业务营业收入变化
中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com,单位:亿美元
原厂存储业务营业利润变化
中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com,单位:亿美元
从Q3整体表现而言,存储产业虽出现短时间的触底反弹之势,原厂库存也在快速消耗,但自8月下旬到10月底,消费类NAND Flash价格指数已跌15%,甚至部分闪存产品价格已跌回涨价前,这与原厂库存高居不下有直接的关系。据悉,2019年Q3季度,三星库存价值30.91兆韩元,SK海力士库存5.47兆韩元,与涨价时期的2017年同期相比分别增加了14%、114%,西部数据库存天数更是相较于2017年同期多出34天。当下降低库存是原厂当务之急,因为96层3D NAND会陆续出货,100层以上3D NAND也将在2020年规模化量产1Tb,NAND Flash bit供应量将进一步增加。
三星库存(Inventories)变化
中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com,单位:十亿韩元
SK海力士库存(Inventories)变化
中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com,单位:十亿韩元
此外,三星2019年前3季资本支出总额16.8兆韩元,相较于2018年同比下滑24%,但依然保持全年资本支出29兆韩元,Q4资本支出将达12.2兆韩元,是否投资西安二期和平泽二期工厂,备受关注。其次,美光2019年前3季资本支出66.24亿美元,同比增长5.6%,虽然将在2020年减少资本支出,但位于新加坡的Fab10A已开始运营,西部数据/铠侠岩手县K1工厂计划在2020年投产,同时Fab7工厂正在建设中,SK海力士M16将在2020年Q4投入运营,原厂这些新工厂投资计划的进度,以及经济和贸易战的不确定性,将是后续稳定市场价格的关键因素。
各家原厂新工厂投产进度
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三星资本支出变化
中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com,单位:兆韩元
美光资本支出变化
中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com,单位:百万美元
2019下半年由于部分原厂减产或涨价,以及铠侠/西部数据工厂产能损失等影响,NAND Flash和DRAM价格出现短时间的触底反弹,市场需求也较Q2明显好转,但由于存储产业仍有库存压力,因此,原厂陆续出货96层3D NAND,并向100层以上3D NAND发展,致力于降低成本,提高产品和市场竞争力。
随着中美双方的多次贸易磋商,僵持的关系已逐渐缓和,却不料日韩双方在2019下半年展开了激烈的贸易战。由于中、美、日、韩在存储产业中扮演着重要角色,使得产业链再次受创,尤其是在全球经济成长趋缓的大环境下,加剧了产业恶化。不过,长远观之,贸易战将加速国产产品本土化的进程,在自足的道路上走的更加稳健。
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