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东芝存储公司（Toshiba Memory Corporation）已开始送样业界首款UFS 3.0嵌入式存储产品，采用最先进的96层BiCS 3D NAND闪存。

东芝和西部数据早在2017年就宣称已成功研发出96层和QLC技术，2018年Q3在新建成的Fab 6工厂量产96层3D TLC NAND，单颗Die容量256Gb和512Gb，并在Q4扩大出货。为了提高在市场上的竞争力，现在正在积极的导入96层3D NAND到UFS嵌入式产品中应用。之前，东芝已将96层3D NAND导入到SSD中应用，不仅推出自家品牌的XG6和BG4系列SSD，还供货给其他SSD品牌厂加强布局。

东芝新推出的UFS3.0产品提供128GB，256GB和512GB容量。凭借高速读/写性能和低功耗，适用于移动设备，如智能型手机，平板电脑、增强/虚拟现实等终端应用。

新的UFS产品符合JEDEC UFS V3.0标准，单通道理论带宽提升到11.6Gbps，传输速度是UFS 2.1的2倍，双通道最高达23.2Gbps，用于满足高端智能型手机，5G手机对更高传输速度的要求。

UFS 3.0除了提高理论传输速率，而且温度从-25℃至85℃扩展为- 40℃至105℃，并针对高温下电子流失，增加了数据刷新操作，通过重写数据延长高温下数据保存时间，还增加了温度提醒、报警功能，以符合汽车、监控、工业等领域对宽温的要求。