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东芝19/24nm Flash产品比重传将于9月提升至60%

编辑:Helan   发布:2011-07-11 13:29
据报导,全球第2大NAND型闪存厂商东芝(Toshiba)计划将四日市工厂的新厂房(Fab5)定位为最先端产品的核心生产据点,以藉此开始正式量产采用24nm及19nm制程的最先端Flash产品。据报导,截至目前为止东芝仅少量生产最先端Flash产品,惟随着上述新厂房即将于7月中旬完工量产,东芝计划于9月份时将采用19/24nm制程的最先端Flash产品占产能的比重一口气提高至60%的水平。
报导指出,东芝于Flash的细微化技术研发上引领全球,领先竞争对手三星电子约半年时间,惟因美国联合阵营(英特尔+美光)正急起直追令竞争日益激烈,故东芝期望藉由大量生产最先端产品来确保其优势。
东芝于2010年8月31日开始量产采用最先端24nm制程技术的Flash产品,之后东芝并于今(2011)年5月24日宣布,该公司和SanDisk携手研发的19nm制程产品将于今年7月进行量产,且与SanDisk合资的12吋Fab5新厂也预计于今年8月开始进行出货。
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