东芝开始量产2Xnm级64Gbit产品 公开NAND闪存业务战略
编辑：Helan 发布：2010-05-13 09:17东芝在“2010年度经营方针说明会”上，公布了作为该公司成长业务的NAND闪存业务的战略方针。将在加快实现微细化的同时，通过提高产能，构筑一个高收益体制。
首先，在细微化方面，该公司将于2010年夏季开始量产采用2Xnm级技术的64Gbit芯片。关于2Xnm级技术，“由于沿袭了目前量产时所采用的 32nm级微细化技术，因此可快速投入量产”（东芝代表执行董事兼社长佐佐木则夫）。据介绍，32nm级NAND闪存在2010年3月底就达到了最初的计划产量。
在产能的提高方面，该公司将于2010年7月建设四日市工厂的第5栋厂房，定于2011年春季竣工。四日市工厂的第5栋厂房在量产之初时支持2Xnm以后的工艺，2011年下半年还计划量产新型存储装置——后NAND闪存。
还将扩充NAND闪存的产品阵容。面向大容量用途、高性能用途及便携式用途，“根据具体用途提供相应产品”。大容量用途方面，将“提供 64Gbit芯片、多段积层封装及SSD等”。高性能用途方面，将提供一个存储单元存储1bit数据的SLC（single level cell）产品等。SLC产品的存储容量为512Mbit～16Gbit，采用高速数据传输技术。包括内存卡在内的便携式用途方面，计划供应3bit/单元的MLC（multi-level cell）产品等。
关于SSD，东芝计划积极推进其在数据中心等使用的存储装置方面的应用。即人们所说的商用存储装置，“通过组合使用硬盘及SSD，可实现环保及节能。通过组合使用，可比仅用硬盘构成的存储装置节省约80％的电力”。
在后NAND闪存的新型存储技术方面，包括以三维方向多段层叠存储单元的BiCS（Bit Cost Scalable）在内，该公司一直积极进行研发。“将在2010年度内确定NAND闪存的发展方向。并在第5栋厂房2期以后导入这些技术”。
另外，东芝此次提出了2010～2012年度（累计）整个公司投入约1万亿3000亿日元用于设备投资的方针。该公司表示，其中计划投资4000～5000亿日元用于半导体业务。
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