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在今日于韩国举办的发布会上，英特尔分享了有关其下一轮存储产品发展的新路线图，其中包括了第二代傲腾（Optane）企业级固态硬盘和 Optane DC 持续性内存模组。此外，英特尔还宣布下一代 3D NAND 将升级至 144 层，且初期会以 QLC SSD 的形式进入市场，后续才会推出 TLC 版本的 SSD 。

3D NAND 开发方面，英特尔主要着力在 QLC NAND 上。以 SSD 660p 为例，这是目前市面上最成功的的消费级 QLC 固态硬盘，它将很快被 665p 所取代（从 64 层提升到 96 层 QLD NAND 闪存），且会在今年年底出货。

在96层之后，英特尔的下一代3D NAND将为144层。这将是QLC的第一代产品，英特尔仍致力于其3D浮栅存储单元设计，他们声称该设计比大多数竞争对手使用的电荷陷阱闪存设计具有更出色的数据保留能力。

对于更高密度的PLC闪存，英特尔给出的答案和东芝类似，“正在研究中，但是现在还没有确定能对实际产品可行”。

基于英特尔企业 / 数据中心闪存的 SSD 新品将在 2020 年到货，其中包括 144 层的 QLD 固态硬盘，不过具体的型号规格还很难猜测。

在NVMe SSD方面，英特尔将在2020年推出第二代企业Optane SSD。初代 DC P4800X（代号 Coldstream）将被 Alder Stream 取代。英特尔承诺将在性能方面进行重大改进，从官方给出的图表来看，Alder Stream 曲线末端的随机 I/O 性能有望提升一倍。