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9月21日，Intel大连非易失性存储二期项目投产启动仪式在大连举行。2006年7月，Intel与大连市政府达成总发展协议，随后建设了占地面积60公顷的300毫米晶圆厂Fab 68，2010年建成，主要用于处理器的封装测试。

2015年10月，Fab 68二期项目落地，投资55亿美元(约合人民币380亿元)，主要用来生产NAND闪存芯片，如今不到三年就顺利实现建成投产，创造了Intel工厂建设历史的新纪录。

在启动仪式上，Intel宣布新工厂将采用世界最先进的96层堆叠3D NAND闪存芯片制造技术实现量产。

据悉，Fab 68工厂未来将成为Intel NAND闪存的最核心生产基地，会贡献大约70％的产能。

目前的全球NAND闪存市场上，三星以37％的份额遥遥领先，然后是东芝、西数、美光、SK海力士，Intel则还不到10％，其固态存储产品也主要集中在企业级、数据中心市场上，消费级领域基本已不见踪影。