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三年前英特尔、美光宣布了3D XPoint闪存，号称性能、耐用性是闪存的1000倍，容量密度是内存的10倍，是首个量产的能够兼具内存闪存、DRAM内存优势的革命性存储芯片。目前3D XPoint闪存已经在SSD领域逐步开花结果，下一步就要进军内存市场了，英特尔将在今年内推出NVDIMM标准的3D XPoint内存，容量更大，而且断电也不会丢失数据。

有必要先了解下DRAM内存、NAND闪存的区别，简单说就是DRAM内存速度极快，延迟是纳秒级的，但内存容量小（相对来说），断电就损失数据，而NAND闪存容量大、价格低，不过延迟是微秒级的，性能远不如内存。JEDEC标准化组织之前推出了NVDIMM内存标准，也就是一种断电不损失数据、使用内存封装格式的产品，介于DRAM与NAND之间。

未来的存储芯片不同级别，越往上速度越快、容量也越低

英特尔至强处理器/数据中心市场部经理Lisa Spellman日前在日本出席了一场公开活动，介绍了英特尔在服务器、数据中心市场上的新进展，PC Watach网站做了详细报道，除了新一代Xeon处理器之外，英特尔还透露了基于3D XPoint闪存的NVDIMM内存进展。

根据英特尔所说，基于3D XPoint闪存的NVDIMM内存预计今年中开始发货，将用于下一代代号Cascade Lake的Xeon Scale处理器平台上。

不过原文并没有提及英特尔的NVDIMM内存的具体规格，首图是NVDIMM实物的样子，容量、性能依然未知。

采用3D NAND闪存的SSD

采用3D XPoint闪存的SSD

NVDIMM内存开始替代内存

数据中心需要处理的数据正在爆炸性增长