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DRAM厂商南亚科董事会决议追加新台币65.6亿元（约2.19亿美元）资本支出预算，主要因应建置10nm级制程试产线。

2020年初南亚科已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术，将在今年下半年试产，用于自产 DDR4/LPDDR4/DDR5等DRAM。根据规划，南亚还会继续研发第二代 10nm 级工艺，预计 2022年可量产，同时开发第三代10nm级工艺。

因应10nm级制程研发及试产，加上20nm递延的资本支出，南亚科董事会于2月26日通过今年度资本支出预算案，金额以不超过92亿元新台币为上限。

DRAM厂南亚科4月营收56.2亿元新台币，环比增长4.93%，同比增长36.7%，创下近18 个月新高。目前 DRAM 市况稳定，南亚科预期此现象将延续到本季，甚至第 3 季，并看好 5G 布建需求动能将持续。

为建置10nm级制程试产线，南亚科董事会决议新增今年度资本支出预算，金额以不超过65.6亿元新台币为上限，南亚科今年资本支出预算以不超过157.6亿元新台币为上限。