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DRAM与NAND Flash价格在2018年下半年双双走跌，但截至第4季初，NAND Flash价格指数已累积下滑高达57%，而DRAM价格跌势和缓，然而市场弥漫观望气氛，DRAM供应商相继延缓扩产，展望未来，南亚科技认为，整体市场需求并不悲观，预估2019年DRAM价格并不会重回过去价格急剧下跌的历史，但仍会季节性调节降价，估计将缓跌约1~2个季度。

存储器产业市况在经过两年左右的荣景后，2018年以来NAND Flash市场价格波动剧烈，尤其是2018年原厂不断扩大64层/72层3D NAND产出量，包括三星、东芝/西部资料、美光/英特尔等大厂3D NAND占比已达到80%以上，但次级品流窜也打乱市场秩序，加剧整体产能过剩竞争，即使在第3季传统旺季也未能扭转NAND Flash价格下滑的趋势，中国闪存市场ChinaFlashMarket指出，目前NAND Flash每GB价格下探至0.1美元，截至2018年10月的累计跌幅已逾5成。

尽管DRAM供应商产能扩充相对缓慢，但第3季起供应商也开始增加投片量，并从第4季起~2019年第1季新增产能逐步开出，对整体产业供给造成影响，另一方面，受到中美贸易战关税以及CPU短缺影响，第4季拉货动能明显趋缓，尤其是PC市场受到CPU缺货影响冲击效应最大，而DRAM次级品也开始影响现货市场价格，导致短期市场价格备受压力。

南亚科技总经理李培瑛表示，2018年第4季整体供需仍维持稳定，包括服务器、手机市场还是很健康，消费性电子的需求也不差，仅有PC市场出现DRAM供过于求的情况。

李培瑛指出，虽然市场需求相对保守，但第4季起供应商开始延缓产能扩充及资本支出，由于DRAM供应商端仍理性控制产出，加上需求前景并不悲观，预期2019年虽有季节性变化，但应不会急剧跌价的问题，单季跌幅可能不会超过双位数，因此2019年DRAM价格将呈现合理的调整范围内，持续缓和下跌约1~2季度。

李培瑛认为，2019年影响市场的关键将在于国际局势，尤其是中美贸易战是未知数，受到关税增加影响，位于大陆的组装厂客户将会受到直接或间接受到影响，并需采取一些因应对策，例如将组装产线移到其它国家，因此需要调整的过渡期。

李培瑛进一步表示，随着手机双镜头已市场主流，后续规格以多镜头为主，手机产品差异化主要依赖存储器规格升级，可以看到虽然手机出货量没有成长，不过搭载的存储器容量有提升，Android旗舰机种主流为6GB~8GB，Apple OLED新机则导入4GB。

在服务器的部分，云端服务与各产业对服务器需求持续发酵，大陆市场服务器需求年增23%、北美4大数据中心需求稳定成长，全球服务器年增约11%，平均存储器容量持续增加，服务器用存储器总需求年增逾3成。

至于消费型电子终端产品，电视、机上盒、智能音响与SSD仍为重点市场区块，且新一代的智能手表，提供心电图功能，预期将带动未来穿戴设备的成长。

从DRAM中长期发展而言，李培瑛认为，未来全球电子产品将走向智能化，存储器势必成为最关键的零组件，在整体需求并没有看到太悲观的原因，国际局势的变化将是最重要的影响关键。