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DRAM厂南亚科先前已宣布将投资约400亿元（新台币，下同），用以转进20nm制程，该公司董事会昨日已核准20nm制程技术转换第一期资本支出预算为140亿元。

眼见未来多数电子产品都会转向采用LPDDR4产品，因此南亚科规划从30nm转进20nm制程，以免因无法生产上述产品而丧失竞争力。

为转进20nm制程，南亚科先前透露，预计二、三年内会投资400亿元，资本支出高峰会落在2016年，将在既有厂房旁边盖新厂，估计2017年底时可量产。