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铠侠宣布与SK海力士联合开发MRAM技术。通过这项技术，这两家公司将适用于大容量的选择器与磁隧道结的单元技术相结合，并应用交叉点型阵列的精细加工技术，在20.5nm的单元半间距范围内实现了MRAM有史以来最小的单元读/写操作。随着单元的微型化，存储器的可靠性往往会降低。 

两家公司通过一种新的读取方法开发了一种潜在的解决方案，该方法利用选择器的瞬态响应并减少读取电路的寄生电容。通过结合适合大容量的选择器和磁性隧道结（MTJ）的集成单元技术，将微加工技术应用于交叉点型阵列。

另据南亚科技官方称，南亚科技与铠侠将联合推出使用氧化物半导体的垂直晶体管 DRAM技术，这项技术采用由稀有金属铟等组成的氧化物「IGZO」作为材料，通过制程改善，强化芯片整合架构，制作出氧化物半导体的垂直通道电晶体，有利于在单一基板上集成更多元件，增加存储容量，并可降低电量耗用并达到极低漏电流。该技术将可满足高密度应用对能效和性能日益增长的需求，包括人工智能驱动的设备、后 5G 通信和物联网，为内存小型化和省电提供显著优势。