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铠侠宣布已开始送样2Tb QLC NAND，采用第八代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术以及 CBA（CMOS 直接键合到阵列）技术，可以制造更高密度产品，接口速度可达3.6Gbps。

与铠侠目前的第五代 QLC设备相比，2Tb QLC的位密度大约高出2.3 倍，写入功率效率大约高出70%。最新的 QLC 设备采用单个封装16芯片堆叠架构，可实现4TB容量。封装尺寸为11.5 mm x 13.5 mm x 1.5 mm。

除了2Tb QLC，铠侠还在其产品组合中增加了1Tb QLC。与容量优化的2Tb QLC 相比，性能优化的 1Tb QLC顺序写入性能提升约30%，读取延迟改善了约15%。1Tb QLC将部署在高性能应用中，包括客户端 SSD 和移动设备。