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铠侠与西部数据日前发布最新的3D闪存技术的细节，最新218层的3D闪存采用创新的横向微缩技术，为4平面(Plane)的1Tb三层存储单元(TLC)和四层存储单元(QLC)，带来超过50%的位密度提升。其高速NAND I/O速度超过3.2GB/s，比上一代产品提高了60%，同时在写入性能和读延迟方面的改善超过了20%，将加速用户的整体性能、可用性。据官方介绍，该技术目前正在备产中。

通过引入各种独特的工艺与架构，实现持续的横向微缩，铠侠与西部数据降低了成本。这种垂直与横向微缩之间的平衡在更小的芯片中产生更大的容量，在优化成本的同时减少了层数。两家公司还开发了突破性的CBA(CMOS直接键合到阵列)技术，其中CMOS晶圆和存储单元阵列晶圆在优化状态下单独制造，然后键合在一起，以提供更高的千兆字节(GB)密度和快速NAND I/O速度。

西部数据技术与战略高级副总裁Alper Ilkbahar表示，“新的3D闪存展示了我们与铠侠强大的合作关系以及我们在3D NAND领域的联合创新领导地位。通过共同的研发路线图与持续的研发投资，我们能够提前推动该基本技术的发展，以生产高性能、高资本效益的产品。”

铠侠首席技术官Masaki Momodomi表示，“我们通过独特的工程合作关系，成功推出了业界最高位密度的第八代BiCS FLASH™，我很高兴看到，铠侠为部分客户提供的样品已开始发货。通过CBA技术与微缩创新，在一系列以数据为中心的应用中，我们进一步推动了3D闪存技术的产品组合，包括智能手机，物联网设备和数据中心。”