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Kioxia官网宣布，该司高密度3D闪存设备及其制造方法大大提高了存储容量并降低了制造成本，从而获得了国家发明奖2020年帝国发明奖（专利（第5016832号），

该奖项由日本发明与创新学院组织，旨在证明闪存对于从智能手机到数据中心的应用程序中数据存储的重要性。国家发明奖主要奖励表彰那些因出色表现而已经或有望取得实质性成就的杰出发明、创意或设计。帝国发明奖是该计划的最高奖项。

Kioxia屡获殊荣的3D闪存技术是一种突破性方法，极大地简化了垂直堆叠存储单元以实现高密度3D闪存的制造过程。常规堆叠需要重复的沉积和图案化工艺来制造存储器单元阵列，而该技术首先堆叠用于存储器单元的材料，然后使用一次性图案化工艺同时制造每个单元，从而大大减少了加工步骤。