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东芝存储器美国子公司（Toshiba Memory America，Inc.）宣布推出一种新的存储器（Storage Class Memory）解决方案：XL-Flash，该技术是基于公司创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC，XL-Flash将为数据中心和企业存储带来了低延迟和高性能的解决方案，样品将于9月开始送样，预计2020年批量生产。

东芝新的XL-Flash将与英特尔3D Xpoint技术和三星Z-NAND技术展开竞争，且率先在SSD市场拉开战局，瞄准数据中心、企业级市场海量数据存储需求。

与英特尔3D Xpoint和三星Z-NAND一样，XL-Flash属于持久性存储器，不仅具有NAND Flash容量存储的能力，同时性能介于DRAM和NAND之间。虽然能像DRAM易失性存储解决方案提供应用程序要求苛刻的访问速度，但达到这种性能的的成本很高。DRAM单位成本限制了其容量的扩展性，新的SCM持久性存储器解决了密度、成本、性能等问题。

XL-Flash是介于DRAM和NAND闪存之间的产品，与传统的DRAM相比，具有更快的速度、更低的延迟和更高的存储容量。XL-Flash最初将以SSD产品为部署，但未来也将扩展到DRAM产品线上，例如未来行业标准的非易失性双列直插内存模块（NVDIMM）。 

主要特点 
128Gb Die（2Die（32GB）、4Die（64GB）、8Die（128GB）封装） 
4KB Page大小，高效的操作系统的读写 
16-plane更高效的并行架构 
快速的读取页面和编程时间，XL-Flash提供小于5微秒的低读取延迟，比现有TLC快10倍

东芝存储器子公司（Toshiba Memory America，Inc.）存储业务部高级副总裁兼总经理Scott Nelson表示：借助XL-Flash技术，正在为超分频器和企业服务器/存储商提供一种更具成本效益、更低延迟的存储解决方案，弥补DRAM和NAND性能之间的差距。我们还为新兴技术和行业标准打开了大门，这些技术和行业标准将为低延迟存储解决方案提供不同的规格形态（form factors）。东芝的XL-Flash将在成本、性能方面优于竞争对手，提供优质的解决方案。”