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英特尔:144层QLC闪存芯片有望于今年底量产

编辑:AVA   发布:2020-08-14 10:24

在2020年英特尔架构日上,公布了最新的闪存和傲腾内存路线图。

首先,闪存方面,自英特尔与美光“分手”后,两家已经独立开发100+层堆叠的3D NAND,目前英特尔已经成功研发了144层堆叠的QLC闪存,容量密度较96层QLC提升了约50%,并且有望在今年底之前投入生产。

英特尔还介绍了第二代3D Xpoint存储芯片,基于该技术的傲腾SSD能提供百万IOPS性能。3D Xpoint除了可用于生产傲腾SSD之外,还可以用来生产傲腾持久性内存,通过增加的容量和独特的内存模式推动企业创新,在降低总体 TCO的同时显著提升虚拟机密度,并通过自动硬件集成的安全特性来提高内存安全性。


一直以来,内存和存储产品一直受到密度、性能和成本的限制,有别于其他存储产品,英特尔傲腾产品通过扩展内存容量,并增加对持久数据的低延迟访问结合在一起,填补了目前存储架构中的空缺。

企业信息
中国公司
公司名称:
英特尔
地点:

上海市闵行区紫星路 880 号

成立时间:
1968年
所在地区:
上海
联系电话:
+86 021 6116-5000

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