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近日，英特尔宣布于2018年底开始在大连工厂生产的基于QLC 3D NAND SSD已经累计生产1000万个，标志着QLC朝着成为大容量存储的主流技术又近了一步。

英特尔客户SSD战略规划和产品营销总监Dave Lundell表示，许多公司都在谈论QLC技术，但英特尔已经实现了大规模交付，我们已经看到了市场对具有成本优势的大容量QLC存储技术以及英特尔QLC存储解决方案的强烈需求。

目前，英特尔QLC 3D NAND主要应用于660P系列、665P系列和傲腾Memory H10存储解决方案中。其中，值得一提的是，傲腾Memory H10是一款融合了存储级内存（SCM）、NAND闪存于一体的“混合固态盘”。对要求低延迟传输速率的数据存储在SCM中，对没有要求低延迟的数据存储在NAND闪存介质中。

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扬长避短，QLC技术或在读取密集型应用大放异彩

随着市场对高密度、大容量、高性能存储设备的需求日益增长，各大存储原厂纷纷不遗余力致力于提升每片晶圆的存储密度。截止2019年，三星、铠侠/西部数据、美光/英特尔和SK海力士均已经实现90+层 TLC 3D NAND的量产，并纷纷推出90+层QLC产品。根据之前媒体报道，英特尔将在今年推出144层QLC 3D NAND。

闪存技术的每一次升级，同等大小的Wafer晶圆产出的Die的数量更多，成本也就更低。从32层3D NAND发展到128层3D NAND，每平方GB量增长了3倍多，这是推动NAND Flash容量呈现持续增长趋势的主要因素。

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当然，QLC技术虽然能带来更大的存储容量以及更低廉的单位成本，但是因为其稳定性较差以及P/E寿命仅为SLC的百分之一而备受质疑，这也是阻碍其大规模普及的重要原因。

然而，我们之前忽略了NAND Flash颗粒的一个闪光点，即NAND Flash颗粒仅在写入时会产生磨损，而读取应用产生的磨损微不足道。但是，目前作为大容量存储主要介质的HDD在读取和写入时均会产生磨损。因此，QLC技术在读取密集型应用上有着得天独厚的优势。此外，主控及纠错技术的发展也进一步促进了QLC的普及。

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除了英特尔以外，三星、美光及西部数据也十分重视QLC在读取密集型应用方面的优势。其中，美光和西部数据已经就QLC相关产品向客户送样。三星也构建了从Z-SSD到QLC SSD的全方位产品线。

不断优化存储架构，实现更高密度存储

目前，市场上主流的3D NAND均基于垂直沟道，水平堆叠栅极。通过立体堆叠提升容量，同时兼具性能更佳，寿命更长的优点。在这种架构下，根据存储原理的不同又可分为浮动栅极架构和电荷捕捉型架构。

随着英特尔和美光的分手，英特尔将可能成为浮动栅极结构的唯一践行者。铠侠虽然在去年12月份发布新型3D半圆形分裂浮动栅极闪存单元“Twin BICS Flash”，但是目前仍无产品产出。

英特尔介绍，在过去的十年中，英特尔一直在开发QLC相关技术。2016年，英特尔研发团队将浮动栅极技术的方向改为垂直，并包覆在栅极中。此项改进使3D TLC技术的存储密度提升至384 Gb/die。到2018年64层3D QLC闪存芯片成为现实，存储密度达1,024 Gb/die。

身处以需求为导向的存储市场中，加上行业内企业之间竞争激烈，定会催生更多先进技术。无论是100+层堆叠的3D NAND还是QLC甚至PLC技术都是为更好的满足日益增长的存储需求。而随着5G部署推进，物联网、车联网、人工智能将会释放出更多的市场需求，存储市场也将会迭代出性能更优，容量更大的存储产品，让我们拭目以待！