随着Flash原厂向1znm（12nm-15nm）发展，已经逼近2D技术可量产的物理极限，而且单位存储密度也很难突破128Gb，2D技术遇到了瓶颈，所以2016年三星、东芝/西数、美光、SK海力士纷纷由2D NAND向3D NAND扩大生产。

3D NAND相较于2D NAND，最大的优势在于可持续性提高存储密度，从而提高产出和降低单位成本。就单Die容量而言，原厂2016年量产的32层/48层堆叠容量基本可达到256Gb，很容易突破2D技术128Gb的瓶颈，64层将可提升至512Gb。

2016年原厂产能投产情况

基于改建工厂比新建工厂更省成本和时间，2016年原厂大多选择了直接将2D工厂改生产3D NAND，其中三星把Fab 16 16nm产线改投产48层3D NAND，东芝、美光、SK海力士也将部分2D生产线用于投产3D NAND，这导致2016年2D NAND产出减少。

虽然原厂全力加速3D NAND量产，但进展不够顺利，良率也不高。2016年三星3D NAND到年底生产比重才提升至40%，且主要用于生产自家品牌的SSD、嵌入式产品。东芝、美光、SK海力士几家占比更是不到10%，东芝和SK海力士基本上不对外销售3D NAND，仅美光对外销售部分3D NAND。2D NAND产出减少，3D NAND产出有限是导致2016年市场供应紧张的主因。

智能手机市场虽然三星和苹果依然处于主导地位，但是国内手机品牌厂正在快速崛起，2016年华为智能手机出货量将接近1.4亿台，Vivo、OPPO更是首次挤进全球排名前五强。据中国闪存市场ChinaFlashMarket统计，2016年智能手机出货超过14.5亿台，仍是NAND Flash最大的应用市场。

2016年全球Top5智能手机厂商前三季出货量

同时，智能手机内嵌容量在翻倍的增长，三星、苹果、华为、Vivo、OPPO等旗舰机容量向128GB提升，推动主流容量从2015年的16GB-64GB向32GB-128GB转移，苹果iPhone7和7Plus新机更是将最大容量提升为256GB，iPad全系列则取消64GB容量，需求也在向128GB容量转移，iPad Pro同样配备了256GB容量，引领高端市场往128GB和256GB提升。

2016年主流旗舰智能手机参数表

相较于2015年，2016年智能手机对NAND Flash产能的需求在翻倍的增加，2017年更有向256GB发展的趋势，智能手机市场需求的强势增长已经弥补了其他消费类电子市场需求的相对平淡。

随着个人、企业、互联网服务行业、工业应用等对数据存储需求的增加，2016年SSD市场需求表现强劲，据中国闪存市场ChinaFlashMarket统计数据，2016年全球SSD出货量达1.3亿台，较2015年成长35%，2017年将进一步爆发式成长。

在消费类市场SSD正在快速吞噬HDD市场份额，且主流容量正在由120GB向240GB需求转移，企业级市场SSD平均容量也在1.2TB以上，2016年SSD存储密度将达到440亿GB当量，大约占NAND Flash总产量的38%，2017年进一步增加至690亿GB当量，将有机会取代嵌入式产品成为NAND Flash最大的应用市场。

2016年NAND Flash供货紧张，导致不能满足持续增长的市场需求，尤其在需求量旺盛的双十一购物节，各大厂商出货倍感压力，而且NAND Flash价格的持续走高，在一定程度上也不利于SSD的市场普及和产品发展。

2017年原厂3D技术都将提升到64层堆叠，单颗Die存储密度可以提升到512Gb，从原厂工厂规划可以看出，三星西安厂/Fab 17/Fab 18，东芝Fab 2、美光F10x、SK海力士M14都将全面进入3D时代，预计3D NAND厂将从Q2开始将逐渐释放出来。

2017年原厂3D NAND投产规划

在此之前，主流市场智能手机和SSD需求并没有减弱，会持续增加对2D NAND的需求，因此2017上半年市场供应不会有太多的缓解，考虑到3D NAND将在Q2放量，以及新制程的磨合等问题，预计市场供货紧张到Q3才能实际意义上的缓解。