旺宏将发表3D记忆体研发成果 总座亲自出席
编辑：Helen 发布：2010-06-23 12:28日前力成(6239)、尔必达以及联电(2303)正式宣布携手展开3D IC之TSV技术合作，NOR Flash大厂旺宏电子(2337)也将于6月24日由总经理卢志远亲自举行3D记忆体研发成果记者会。
旺宏最新开发三维堆叠NAND快闪记忆体技术(3D NAND Flash Technology)，获得2010年半导体技术国际会议选为8大重要研究报告之一。
旺宏总经理卢志远指出，传统NAND型快闪记忆体将在制程技术进步到2X奈米以下时面临技术上的关卡，公司所成功研发的堆叠技术将可成为次世代NAND型快闪记忆体在满足高容量需求之际的重要里程碑。
