旺宏推三维堆叠NAND Flash技术 适用1X奈米以下制程
编辑：Helan 发布：2010-06-17 13:45旺宏(2337)宣布，该公司已运用旗下BE- SONOS电荷捕捉(charge-trapping)专利、三维堆叠解码架构(3D decoding architecture)开发出最新的三维堆叠NAND快闪记忆体技术(3D NAND Flash Technology)。这项重大突破技术已2010年获半导体技术国际会议(2010 Symposium on VLSI Technology)选为8大重要研究报告之一。
旺宏总经理卢志远指出，传统NAND型快闪记忆体将在制程技术进步到2X奈米以下时面临技术上的关卡，而三维堆叠记忆体单元阵列(cell array)架构是在制程技术缩减至1X奈米以下时最被看好的NAND型快闪记忆体技术。他指出，旺宏基于BE-SONOS的三维堆叠记忆体研发成果将成为次世代NAND型快闪记忆体在满足高容量需求之际的重要里程碑。
