7GB/s读速，12nm工艺，DRAM-less，英韧科技国产PCIe Gen4 SSD控制芯片登场
编辑：CFM 发布：2021-09-10 19:41继2020年在全球范围内率先量产12纳米PCIe 4.0 SSD主控芯片Rainier IG5236及IG5636(企业级)后， 英韧科技于2021年9月7日发布Rainier系列全新产品——12纳米高性能DRAMless PCIe Gen4 SSD控制芯片RainierQX。
来源：英韧科技
RainierQX采用四通道PCIe Gen4接口，支持4个NAND通道，每个通道最多8个CE片选通道，全面支持NVMe1.4协议。RainierQX还具有以下优势：
· 采用业界领先的技术，通过独立平层访问，以实现极致高速的读取访问，并在有限的芯片数量的情况下，有效提高4K随机读取性能高达1M IOPs以上；
· 顺序读取性能超过7GB/s，顺序写入性能超过6GB/s；
· 专有ECC解决方案采用先进的4K LDPC技术，为最新的TLC和QLC提供卓越的纠错能力，并提供功耗感知多级解码策略；
· 超大SSD容量高达4TB。
值得一提的是，RainierQX具有增强的12纳米FinFET设计的无DRAM架构，英韧科技董事长兼首席执行官吴子宁博士表示：“在DRAM成本增加，PC OEM和渠道市场面临巨大成本压力的市场环境下， RainierQX将成为目前无DRAM控制器的最佳解决方案。
RainierQX在提供低功耗、实现更低BOM成本的同时，因采用业界最快的2400MT/s NAND通道接口和专有数据路径加速器，仍可以提供与DRAM解决方案相同的峰值性能，这使得该方案明显优于同类产品中的其他解决方案。”
