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6月20日上午，以长江存储二期厂房为施工主体的国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。

在开工仪式上，紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍了项目情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。雄关漫道真如铁，而今迈步从头越。我们要增强责任感、紧迫感，知难而进、迎难而上，为集成电路产业发展、为湖北经济社会高质量发展作出新的更大贡献。

国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。

项目一期于2016年底开工建设，进展顺利，32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出目前业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量的128层闪存芯片。

国家存储器基地项目总投资达240亿美元。其中，一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能；二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。