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长江存储联席首席技术官程卫华日前在接受媒体采访时表示，长江存储生产正如期推进，能够在年底前大规模生产64层3D NAND。

“长江存储的大规模生产NAND Flash的计划进展顺利，没有任何障碍。我们已经制定了大规模生产计划。”程卫华表示。由长江存储主导投资的3D NAND Flash厂，总投资额240亿美元，位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，占地1,968亩，将建立三座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash厂房，一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，第一期2018年建成启用投产，2020年全部完工，月产能将达30万片，年产值将超过100亿美元。同时也将成为全球最大单一NAND晶片制造厂。

目前，三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等已经开始量产96层3D NAND。三星计划在今年下半年推出100层NAND Flash。而此前有消息称西部数据和东芝已开发出128层512Gb 3D TLC NAND裸片，是东芝下一代3D NAND技术，被命名为BiCS5。如果长江存储能够在今年年底成功批量生产64层NAND Flash，那么与三星的技术差距将大幅缩小至两年左右。

近来存储器供给过剩，价格跌不停，外界忧虑长江存储将开出庞大产能，打坏市场。此外也有部分专家对长江存储今年大规模量产64层3D NAND表示怀疑，理由是中国芯片制造商现在还无法大规模生产32层产品。

长江存储在NAND Flash领域稳扎稳打，在去年发布了创新的Xtacking™架构，通过这一架构，周边的控制电路可以随意选择任何的逻辑电路的先进工艺，这样周边电路的速度可以没有特别大的限制往上提高。虽然比较晚进入这个行业，但是在64层这个工艺节点，采用Xtacking™架构跟传统架构的96层相比，容量并未低太多，大概15%左右。