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6月28日，得一微电子在2020年度中国IC设计成就奖评选活动中，脱颖而出，凭借YS9203存储控制芯片一举获得最佳存储器大奖！

得一微电子此次参选的存储控制芯片YS9203，是一款面向旗舰消费级以及轻企业级应用的PCIe Gen3x4 SSD主控，支持3D MLC/TLC/QLC NAND，其连续读写速度高达 3500/3200 MB/s，4K随机读写速度可达800K/800K IOPS，超强性能业界领先。拥有8通道传输速度与可支持64CE的高规格能力，在当下这个大数据时代，可以很好的支持和满足日渐增高的数据应用需求。

YS9203采用自主研发的LDPC& NVMe IP，支持国密SM2/SM3/SM4，TCG OPAL，提供最完整及最稳定的资料保护，满足存储设备所需的高效稳定的需求。公司提供的一站式解决方案和定制化服务，帮助客户打造更高的资源利用效率、更可靠的存储系统。

中国 IC 设计成就奖是中国电子业界最重要的技术奖项之一，已连续第19年举办。2020 年度中国 IC 设计成就奖旨在表彰那些在中国大陆IC设计界占领先地位或展现卓越设计能力与技术服务水平以及极大发展潜力的最佳公司，同时也表彰他们在协助电子设计工程师开发电子系统产品方面所作的贡献。此次，得一微电子YS9203存储控制芯片获得行业认可，拿下重量级奖项，是对得一微电子技术实力和市场表现的肯定。

企业级SSD、智能手机、个人电脑等是闪存的主要驱动力，游戏、云服务拉动SSD需求，预计到2024年SSD需求将占整体闪存总量的57.7%。正是顺应这一市场趋势，得一微夯实闪存控制技术，并延展推出闪存整体解决方案，相信将在接下来的市场表现中大放异彩。