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走过供需与价格巨幅波动的一年，2010年将有两个影响NAND快闪记忆体市场的主要制程进展一为制程由30奈米世代往20奈米世代推进，一为记忆体大厂全面推出TLC NAND产品。2008年第四季东芝半导体是第一家率先以40奈米世代技术量产TLC NAND的厂商，单位储存密度由两位元提升到三位元，大举降低产品成本。然而与MLC NAND相较，虽然TLC NAND有成本上的优势，但却需要更精准与更复杂的控制晶片技术来确保写入的资料能正确无误的被保存。

鑫创科技于2008年第四季推出可精确驾驭TLC NAND，具备24Bit错误侦测功能(ECC)的快闪记忆体控制晶片，并分别获得国际记忆体大厂与品牌大厂采用。一年多来，鑫创科技TLC NAND控制晶片已累计可观的出货量。

TLC NAND的另外一个弱点是写入速度较MLC NAND慢。为了提高TLC NAND的应用价值，鑫创历经一年的努力，于2009年第四季陆续推出仅用单一TLC NAND晶片，写入速度即可达到20MB/s高速USB控制晶片；以及符合Class 4的SD卡控制晶片。两者皆大幅提升TLC NAND的应用效能，提供客户更高的产品竞争力并普获客户采用与好评。鑫创计划于近期推出支援数位相机高速连拍功能以及支援HD解析度数位摄影的 Class 6 TLC控制晶片，有机会为TLC NAND带入更高阶的应用。